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更新時(shí)間:2020-11-18 08:45????瀏覽:
實(shí)驗(yàn)室通風(fēng)柜廢氣處理有光催化氧化的辦法
光催化氧化工藝
光催化氧化工藝簡介
光化學(xué)和光催化氧化法是目前研究較多的一種氧化技術(shù)。光催化反應(yīng)即在光的作用下進(jìn)行的化學(xué)反應(yīng)。分子吸收***定波長的電磁輻射后，是分子達(dá)到激發(fā)態(tài)，然后發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，產(chǎn)生新的物質(zhì)，或成為熱反應(yīng)的引發(fā)劑。
光催化氧化工藝原理及流程
Ti02作為一種半導(dǎo)體資料其本身的光電***性決議了它可以用作光催化劑。半導(dǎo)體的能帶結(jié)構(gòu)通常是一個(gè)電子填充低能量價(jià)帶（VB）和一個(gè)空的高能量的導(dǎo)帶（CB），導(dǎo)帶和價(jià)帶之間的區(qū)域被稱為禁帶。
當(dāng)照耀半導(dǎo)體的光能量等于或***于禁帶寬度時(shí)，其價(jià)帶電子被激起，跨過禁帶進(jìn)入導(dǎo)帶，并在價(jià)帶中產(chǎn)生相應(yīng)空穴。電子從價(jià)帶激起到導(dǎo)帶，激起后別離的電子和空穴都有一部分進(jìn)一步進(jìn)行反響。
光催化氧化工藝的影響要素
研討標(biāo)明，反響物初始濃度對光催化功率或降解速率有顯著的影響。光催化功率跟著初始濃度添加而動(dòng)搖，存在顯著的濃度改變點(diǎn)；低濃度方針物的光催化降解功率***于高濃度方針物的光催化降解功率。
濕度對光催化反響的影響尚無一致性定論。關(guān)于不同化合物或許不同濃度等實(shí)驗(yàn)條件，存在很***的不同。
光催化氧化工藝***缺點(diǎn)
***點(diǎn)：
處理功率高，運(yùn)轉(zhuǎn)費(fèi)用低，適用于低濃度廣規(guī)模的 VOCs***別對芳烴的去除功率高；
缺點(diǎn)：
對高濃度 VOCs 處理功率一般；***要還停留在實(shí)驗(yàn)室階段，缺少實(shí)踐使用。